质量可靠性

质量可靠性

每个产品严格高标准把控几十项参数,质量更可靠

质量可靠性 质量可靠性

第四代TRENCH MOS

工艺技术

根据不同客户的需求,提供切合实际的解决方案。

特殊导电材料重构电阻值
【ASIM】采用低阻的特殊导电层,方块电阻可达22mΩ/mm2;比现代工艺制成的电阻低 40%
亚微米槽宽重构器件耐用性
【ASIM】运用亚微米槽宽降低了栅漏电容 使器件耐用性提高了20%
亚微米沟槽重构峰值功率
【ASIM】未嵌位开关功率转换状态下,支持高达 0.1ms的脉冲,峰值功率可达 1KW/㎡P
TRENCH MOS重构元件密度
【ASIM】元件密度增加5倍,达到 50000万个/ft2

生产实力

国际一流8寸产线生产

全自动生产设备优化工序,节省人工30%。

晶圆及封装都采用国内头部厂家,并由国际一流设备8寸产线生产,层层工序保障质量,产品生产全程可追溯。

一流的生产和检测设备, 产品材料均已通过RoHS检测。

产品各项性能指标均处于行业领先水平,生产实力规模雄厚,交期有保障。

03 / 12

我们的质量测试

为电子行业创造出高性能,高品质的EMC 防护器件

可靠性实验 FT测试
序号

Test Item Abrv

项目缩写

Reference

参考依据

Stress Condition

条件

Sample Size/ Lots

样品数量/批次

车规产品 非车规产品

End Point

结束节点

1

ESD-HBM

ANSI/ESD STM5.1 AEC-

Q100-002

R=1500Ω,C=100pF,U= 情况施加 (100~20000V) 按产品实际情况施加

30pcs/1Lot 5pcs/1Lot

ESD后损坏

2

ESD-MM

ANSI/ESD STM5.1

AECQ100-002

R=0Ω,C=200pF,U=(100~4000V),按产品实际情况施加

30pcs/1Lot 5pcs/1Lot
ESD后损坏
3

PC

JESD22-A113

Per device Specification Baking-THT(30℃ / 60%RH,

192hours or 60℃ / 60%RH,40hours)→IR(260℃,3cys);

or 125℃ / 24H→THT(85℃ / 85%RH,168hours)→IR(260℃,3cys)

SMD All Parts for TH,TC,UHAST / PCT,H3TRB / HAST

Pre- Electrical Test;

Post- ElectricalTest;

Pre-SAT; PoSt-SAT

4

HTSL

JESD22-A103

R=1500Ω,C=100pF,U=(100~20000V),按产品实际情况施加

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,168,500,1000hours

5

TH

JESD22-A104

Ta=85°C,RH=85%

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,100or200,500,1000cycles

6

TC

JESD22-A104

Ta =-55°C/15min, to 2~5min, to +150℃ /15min

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,100or200,500,1000cycles

7

JESD22-A118

JESD22-A104

Ta =130°C; 85%RH

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,96hours

8

HTRB

JESD22-A108MIL-

STD-750F-1038.5

GBT 4938-1985

场效应管:Ta=150℃,V=(VDSS Max)*(80%~100%)

三极管:VR=(80%~100%)*(VDSS Max)*(80%~100%)

稳压二级管:VR=VZ Max*(80%~100%)

晶闸管:VR=(VRRM Max)*(80%~100%)

肖特基管:Ta=85℃,VR=(VRRM Max)*(80%~100%)

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,168,500,1000hours

9

AC/PCT

JESD22-A102

Ta=121℃, 29.7psig, 100%RH

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,96hours

10

RSH

JESD22-A 111 (SMD)

JESD22-B 106 (PTH)

SMD:Ta=260°C,10 seconds PTH:Ta=270°C,10 seconds

77pcs/1Lot 77pcs/1Lot

11
SD

J-STD-002

①PC : Dry Bake 155°C/4hours±15min) Or Dry Bake150°C/16hours±15min)Or Steam 4 Hours±10min

②SMD:Reflow Soldering:Ta=245±5°C,5+0/-0.5 seconds ;

PTH:Wave Soldering : Ta=260°C +5/-0°C,5 +2/-1seconds

10pcs/1Lot 10pcs/1Lot

12

TS

MIL-STD-750

Method 2036

2.5N For TO-92/LM; 5N For TO-220series and TO-126series
30pcs/1Lots 5pcs/1Lot

13

OLT

JESD22-A108

三极管:Vc=70%VCEO,IC=PC/VC 稳压二极管:VC=VZ+1V,IC=Iz 三端稳压管:VC=VO+1V,IC≤100mA

77pcs/3Lots 45pcs/1Lot

0,168 500,1000hours

14

HTGB

JESD22-A108

Ta=85°C to 150°C,VGS=(VGS Rating)X80%(仅MOS )

77pcs/3Lots 77pcs/1Lot

0,168 500,1000hours

15

H3TRB*

JESD22-A101

Ta=85°C RH=85%,VR=(VDS Rating)X80%(仅分立器件)

77pcs/3Lots /

0,168 500,1000hours

16

HAST*

JESD22A-110

Ta=130'C/85%RH,T=96 hours,V=80%VMAX Ta=110°C/85%RH,T=264hrs,V=80%VMAX,最高为 100V

77pcs/3Lots /

0,96hours

17

IOL*

MIL-STD-750 Method 1037

例:Ton=120s,Toff=120s,15000cycles(仅分立器件

77pcs/3Lots /

0,15000hours

项目 非车规2SC2383T 车规BR2SC2383TQ

测试项

最小值

最大值

测试条件

最小值

最大值

测试条件

VCE(SAT)

50mV

1.050V

IC=500mA, IB=50mA

102.5mV

132.3mV

IC=500mA, IB=50mA

BVCB0

165V

500V

IC=100uA

427.8V

447.8V

IC=100uA

BVEB0

6.5V

20V

IE=100uA

11.52V

11.84V

IE=100uA

ICB0

0

80nA

VCB=150V

0

7.533nA

VCB=150V

IEB0

0

80nA

VEB=6V

0

10.18nA

VEB=6V

BVCE01

165V

400V

IC=500uA

204.5V

231.1V

IC=500uA

BVCE02

120V

400V

IC=15uA

203.7V

232.5V

IC=15uA

DIVID

0

1.065

BVCEO1/BVCEO2

0.9912

1.006

BVCEO1/BVCE02

ICE0

0

2.5uA

VCE=165V

128.9nA

317.6nA

VCE=165V

HFE1

60

320

VCE=5V,IC=200mA

131.3

197.8

VCE=5V,IC=200mA

HFE2

50

320

VCE=5V,IC=20mA

135.7

197.6

VCE=5V,IC=20mA

DIVID

0.73

2

HFE2/HFE1

0.9828

1.043

HFE2/HFE1

VFBC

650mV

850mV

IB=10mA

745mV

800mV

IB=10mA

VFBE

650mV

850mV

IB=10mA

744.3mV

800mV

IB=10mA

车规产品测试采用PAT在线管控,统计性地分析测试数据,在良品规格内去除群外产品

Max static limit = robust mean + 6*(robust sigma)

Min static limit = robust mean - 6*(robust sigma)

科研雄厚,精英团队

ASIM从方案选择到整机量产的每个环节,都能为客户提供高质高效的服务,有效缩短项目开发周期,降低研发成本,确保量产性能。
50+(人)

专业研发团队

10+(人)

资深工程师

35+(人)

专业设计团队

国际标准认证

我们的生产场所均已获得ISO9001和ISO/ISO45001认证。

可持续性、健康、安全和环保方面的各项政策已整合至我们的理念之中,且生产场所也已获得ISO14001和ISO45001认证。

生产的产品也符合环保要求,符合欧盟RoHS、HF、REACH等标准

  • ISO 9001

  • ISO 14001

  • ISO 45001

  • QC 080000

  • 具有静电保护功能的静电抑制器

  • 电子芯片故障检测装置

  • 微带贴片滤波器

  • 电子器件的散热装置

  • 电子元器件外观检测装置

  • 单向双路TVS静电保护器件

  • TVS管型高效能静电防护桥丝式电雷管

  • 高性能宽频滤波器

  • 高散热性能的微带贴片滤波器

  • 具有防护性能的滤波器组件

  • 可快速组装的稳压半导体二极管

  • 半导体二极管的封装模组

  • 共模电感器

  • 集成式滤波电路

  • 集成式MOS结构

  • 低嵌位瞬态电压抑制器控制方法及系统

  • 恒定型瞬态电压抑制器控制方法及系统

  • 具有静电保护功能的静电抑制器

  • HF

  • ROHS

  • REACH

您需要进一步的协助吗?

请告诉我们您的具体研究需求,我们将尽快回复您。

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