提交
质量可靠性
每个产品严格高标准把控几十项参数，质量更可靠
第四代TRENCH MOS
工艺技术
根据不同客户的需求，提供切合实际的解决方案。
特殊导电材料重构电阻值
【ASIM】采用低阻的特殊导电层，方块电阻可达22mΩ/mm2；比现代工艺制成的电阻低 40% 。
亚微米槽宽重构器件耐用性
【ASIM】运用亚微米槽宽降低了栅漏电容 使器件耐用性提高了20% 。
亚微米沟槽重构峰值功率
【ASIM】未嵌位开关功率转换状态下，支持高达 0.1ms的脉冲，峰值功率可达 1KW/㎡P 。
TRENCH MOS重构元件密度
【ASIM】元件密度增加5倍，达到 50000万个/ft2 。
生产实力
国际一流8寸产线生产
全自动生产设备优化工序，节省人工30%。
晶圆及封装都采用国内头部厂家，并由国际一流设备8寸产线生产，层层工序保障质量，产品生产全程可追溯。
一流的生产和检测设备， 产品材料均已通过RoHS检测。
产品各项性能指标均处于行业领先水平，生产实力规模雄厚，交期有保障。
03 / 12
我们的质量测试
为电子行业创造出高性能，高品质的EMC 防护器件
可靠性实验
FT测试
序号
Test Item Abrv
项目缩写
Reference
参考依据
Stress Condition
条件
Sample Size/ Lots
样品数量/批次
车规产品
非车规产品
End Point
结束节点
1
ESD-HBM
ANSI/ESD STM5.1 AEC-
Q100-002
R=1500Ω,C=100pF,U= 情况施加 （100～20000V） 按产品实际情况施加
30pcs/1Lot
5pcs/1Lot
ESD后损坏
2
ESD-MM
ANSI/ESD STM5.1
AECQ100-002
R=0Ω,C=200pF,U=(100~4000V)，按产品实际情况施加
30pcs/1Lot
5pcs/1Lot
ESD后损坏
3
PC
JESD22-A113
Per device Specification Baking-THT(30℃ / 60%RH,
192hours or 60℃ / 60%RH,40hours)→IR(260℃,3cys)；
or 125℃ / 24H→THT(85℃ / 85%RH,168hours)→IR(260℃,3cys)
SMD All Parts for TH,TC,UHAST / PCT,H3TRB / HAST
Pre- Electrical Test;
Post- ElectricalTest;
Pre-SAT; PoSt-SAT
4
HTSL
JESD22-A103
R=1500Ω,C=100pF,U=(100~20000V)，按产品实际情况施加
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,168,500,1000hours
5
TH
JESD22-A104
Ta=85°C,RH=85%
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,100or200,500,1000cycles
6
TC
JESD22-A104
Ta =-55°C/15min, to 2~5min, to +150℃ /15min
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,100or200,500,1000cycles
7
JESD22-A118
JESD22-A104
Ta =130°C; 85%RH
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,96hours
8
HTRB
JESD22-A108MIL-
STD-750F-1038.5
GBT 4938-1985
场效应管:Ta=150℃，V=(VDSS Max)*(80%~100%)
三极管:VR=(80%~100%)*(VDSS Max)*(80%~100%)
稳压二级管:VR=VZ Max*(80%~100%)
晶闸管:VR=(VRRM Max)*(80%~100%)
肖特基管:Ta=85℃,VR=(VRRM Max)*(80%~100%)
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,168,500,1000hours
9
AC/PCT
JESD22-A102
Ta=121℃, 29.7psig, 100%RH
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,96hours
10
RSH
JESD22-A 111 (SMD)
JESD22-B 106 (PTH)
SMD:Ta=260°C,10 seconds PTH:Ta=270°C,10 seconds
77pcs/1Lot
77pcs/1Lot
一
11
SD
J-STD-002
①PC : Dry Bake 155°C/4hours±15min) Or Dry Bake150°C/16hours±15min)Or Steam 4 Hours±10min
②SMD:Reflow Soldering:Ta=245±5°C，5+0/-0.5 seconds ;
PTH:Wave Soldering : Ta=260°C +5/-0°C，5 +2/-1seconds
10pcs/1Lot
10pcs/1Lot
一
12
TS
MIL-STD-750
Method 2036
2.5N For TO-92/LM;
5N For TO-220series and TO-126series
30pcs/1Lots
5pcs/1Lot
一
13
OLT
JESD22-A108
三极管：Vc=70%VCEO,IC=PC/VC 稳压二极管：VC=VZ+1V，IC=Iz 三端稳压管：VC=VO+1V,IC≤100mA
77pcs/3Lots
45pcs/1Lot
0,168 500,1000hours
14
HTGB
JESD22-A108
Ta=85°C to 150°C,VGS=(VGS Rating)X80%(仅MOS )
77pcs/3Lots
77pcs/1Lot
0,168 500,1000hours
15
H3TRB*
JESD22-A101
Ta=85°C RH=85%,VR=(VDS Rating)X80%(仅分立器件)
77pcs/3Lots
/
0,168 500,1000hours
16
HAST*
JESD22A-110
Ta=130'C/85%RH,T=96 hours,V=80%VMAX Ta=110°C/85%RH,T=264hrs,V=80%VMAX，最高为 100V
77pcs/3Lots
/
0,96hours
17
IOL*
MIL-STD-750 Method 1037
例：Ton=120s，Toff=120s，15000cycles(仅分立器件
77pcs/3Lots
/
0,15000hours
| 项目 | 非车规2SC2383T | 车规BR2SC2383TQ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
测试项 |
最小值 |
最大值 |
测试条件 |
最小值 |
最大值 |
测试条件 |
VCE(SAT) |
50mV |
1.050V |
IC=500mA, IB=50mA |
102.5mV |
132.3mV |
IC=500mA, IB=50mA |
BVCB0 |
165V |
500V |
IC=100uA |
427.8V |
447.8V |
IC=100uA |
BVEB0 |
6.5V |
20V |
IE=100uA |
11.52V |
11.84V |
IE=100uA |
ICB0 |
0 |
80nA |
VCB=150V |
0 |
7.533nA |
VCB=150V |
IEB0 |
0 |
80nA |
VEB=6V |
0 |
10.18nA |
VEB=6V |
BVCE01 |
165V |
400V |
IC=500uA |
204.5V |
231.1V |
IC=500uA |
BVCE02 |
120V |
400V |
IC=15uA |
203.7V |
232.5V |
IC=15uA |
DIVID |
0 |
1.065 |
BVCEO1/BVCEO2 |
0.9912 |
1.006 |
BVCEO1/BVCE02 |
ICE0 |
0 |
2.5uA |
VCE=165V |
128.9nA |
317.6nA |
VCE=165V |
HFE1 |
60 |
320 |
VCE=5V,IC=200mA |
131.3 |
197.8 |
VCE=5V,IC=200mA |
HFE2 |
50 |
320 |
VCE=5V,IC=20mA |
135.7 |
197.6 |
VCE=5V,IC=20mA |
DIVID |
0.73 |
2 |
HFE2/HFE1 |
0.9828 |
1.043 |
HFE2/HFE1 |
VFBC |
650mV |
850mV |
IB=10mA |
745mV |
800mV |
IB=10mA |
VFBE |
650mV |
850mV |
IB=10mA |
744.3mV |
800mV |
IB=10mA |
车规产品测试采用PAT在线管控，统计性地分析测试数据，在良品规格内去除群外产品
Max static limit = robust mean + 6*(robust sigma)
Min static limit = robust mean - 6*(robust sigma)
科研雄厚，精英团队
ASIM从方案选择到整机量产的每个环节，都能为客户提供高质高效的服务，有效缩短项目开发周期，降低研发成本，确保量产性能。
50+(人)
专业研发团队
10+(人)
资深工程师
35+(人)
专业设计团队
国际标准认证
我们的生产场所均已获得ISO9001和ISO/ISO45001认证。
可持续性、健康、安全和环保方面的各项政策已整合至我们的理念之中，且生产场所也已获得ISO14001和ISO45001认证。
生产的产品也符合环保要求，符合欧盟RoHS、HF、REACH等标准
-
ISO 9001
-
ISO 14001
-
ISO 45001
-
QC 080000
-
具有静电保护功能的静电抑制器
-
电子芯片故障检测装置
-
微带贴片滤波器
-
电子器件的散热装置
-
电子元器件外观检测装置
-
单向双路TVS静电保护器件
-
TVS管型高效能静电防护桥丝式电雷管
-
高性能宽频滤波器
-
高散热性能的微带贴片滤波器
-
具有防护性能的滤波器组件
-
可快速组装的稳压半导体二极管
-
半导体二极管的封装模组
-
共模电感器
-
集成式滤波电路
-
集成式MOS结构
-
低嵌位瞬态电压抑制器控制方法及系统
-
恒定型瞬态电压抑制器控制方法及系统
-
具有静电保护功能的静电抑制器
-
HF
-
ROHS
-
REACH
