第四代TRENCH MOS
工艺技术
根据不同客户的需求,提供切合实际的解决方案。




生产实力
国际一流8寸产线生产
全自动生产设备优化工序,节省人工30%。
晶圆及封装都采用国内头部厂家,并由国际一流设备8寸产线生产,层层工序保障质量,产品生产全程可追溯。
一流的生产和检测设备, 产品材料均已通过RoHS检测。
产品各项性能指标均处于行业领先水平,生产实力规模雄厚,交期有保障。
我们的质量测试
为电子行业创造出高性能,高品质的EMC 防护器件
Test Item Abrv
项目缩写
Reference
参考依据
Stress Condition
条件
Sample Size/ Lots
样品数量/批次
End Point
结束节点
ESD-HBM
ANSI/ESD STM5.1 AEC-
Q100-002
R=1500Ω,C=100pF,U= 情况施加 (100~20000V) 按产品实际情况施加
ESD后损坏
ESD-MM
ANSI/ESD STM5.1
AECQ100-002
R=0Ω,C=200pF,U=(100~4000V),按产品实际情况施加
PC
JESD22-A113
Per device Specification Baking-THT(30℃ / 60%RH,
192hours or 60℃ / 60%RH,40hours)→IR(260℃,3cys);
or 125℃ / 24H→THT(85℃ / 85%RH,168hours)→IR(260℃,3cys)
SMD All Parts for TH,TC,UHAST / PCT,H3TRB / HAST
Pre- Electrical Test;
Post- ElectricalTest;
Pre-SAT; PoSt-SAT
HTSL
JESD22-A103
R=1500Ω,C=100pF,U=(100~20000V),按产品实际情况施加
0,168,500,1000hours
TH
JESD22-A104
Ta=85°C,RH=85%
0,100or200,500,1000cycles
TC
JESD22-A104
Ta =-55°C/15min, to 2~5min, to +150℃ /15min
0,100or200,500,1000cycles
JESD22-A118
JESD22-A104
Ta =130°C; 85%RH
0,96hours
HTRB
JESD22-A108MIL-
STD-750F-1038.5
GBT 4938-1985
场效应管:Ta=150℃,V=(VDSS Max)*(80%~100%)
三极管:VR=(80%~100%)*(VDSS Max)*(80%~100%)
稳压二级管:VR=VZ Max*(80%~100%)
晶闸管:VR=(VRRM Max)*(80%~100%)
肖特基管:Ta=85℃,VR=(VRRM Max)*(80%~100%)
0,168,500,1000hours
AC/PCT
JESD22-A102
Ta=121℃, 29.7psig, 100%RH
0,96hours
RSH
JESD22-A 111 (SMD)
JESD22-B 106 (PTH)
SMD:Ta=260°C,10 seconds PTH:Ta=270°C,10 seconds
一
J-STD-002
①PC : Dry Bake 155°C/4hours±15min) Or Dry Bake150°C/16hours±15min)Or Steam 4 Hours±10min
②SMD:Reflow Soldering:Ta=245±5°C,5+0/-0.5 seconds ;
PTH:Wave Soldering : Ta=260°C +5/-0°C,5 +2/-1seconds
一
TS
MIL-STD-750
Method 2036
一
OLT
JESD22-A108
三极管:Vc=70%VCEO,IC=PC/VC 稳压二极管:VC=VZ+1V,IC=Iz 三端稳压管:VC=VO+1V,IC≤100mA
0,168 500,1000hours
HTGB
JESD22-A108
Ta=85°C to 150°C,VGS=(VGS Rating)X80%(仅MOS )
0,168 500,1000hours
H3TRB*
JESD22-A101
Ta=85°C RH=85%,VR=(VDS Rating)X80%(仅分立器件)
0,168 500,1000hours
HAST*
JESD22A-110
Ta=130'C/85%RH,T=96 hours,V=80%VMAX Ta=110°C/85%RH,T=264hrs,V=80%VMAX,最高为 100V
0,96hours
IOL*
MIL-STD-750 Method 1037
例:Ton=120s,Toff=120s,15000cycles(仅分立器件
0,15000hours
项目 | 非车规2SC2383T | 车规BR2SC2383TQ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
测试项 |
最小值 |
最大值 |
测试条件 |
最小值 |
最大值 |
测试条件 |
VCE(SAT) |
50mV |
1.050V |
IC=500mA, IB=50mA |
102.5mV |
132.3mV |
IC=500mA, IB=50mA |
BVCB0 |
165V |
500V |
IC=100uA |
427.8V |
447.8V |
IC=100uA |
BVEB0 |
6.5V |
20V |
IE=100uA |
11.52V |
11.84V |
IE=100uA |
ICB0 |
0 |
80nA |
VCB=150V |
0 |
7.533nA |
VCB=150V |
IEB0 |
0 |
80nA |
VEB=6V |
0 |
10.18nA |
VEB=6V |
BVCE01 |
165V |
400V |
IC=500uA |
204.5V |
231.1V |
IC=500uA |
BVCE02 |
120V |
400V |
IC=15uA |
203.7V |
232.5V |
IC=15uA |
DIVID |
0 |
1.065 |
BVCEO1/BVCEO2 |
0.9912 |
1.006 |
BVCEO1/BVCE02 |
ICE0 |
0 |
2.5uA |
VCE=165V |
128.9nA |
317.6nA |
VCE=165V |
HFE1 |
60 |
320 |
VCE=5V,IC=200mA |
131.3 |
197.8 |
VCE=5V,IC=200mA |
HFE2 |
50 |
320 |
VCE=5V,IC=20mA |
135.7 |
197.6 |
VCE=5V,IC=20mA |
DIVID |
0.73 |
2 |
HFE2/HFE1 |
0.9828 |
1.043 |
HFE2/HFE1 |
VFBC |
650mV |
850mV |
IB=10mA |
745mV |
800mV |
IB=10mA |
VFBE |
650mV |
850mV |
IB=10mA |
744.3mV |
800mV |
IB=10mA |
车规产品测试采用PAT在线管控,统计性地分析测试数据,在良品规格内去除群外产品
Max static limit = robust mean + 6*(robust sigma)
Min static limit = robust mean - 6*(robust sigma)
科研雄厚,精英团队

专业研发团队

资深工程师

专业设计团队
国际标准认证
我们的生产场所均已获得ISO9001和ISO/ISO45001认证。
可持续性、健康、安全和环保方面的各项政策已整合至我们的理念之中,且生产场所也已获得ISO14001和ISO45001认证。
生产的产品也符合环保要求,符合欧盟RoHS、HF、REACH等标准